Ток коллектора второго транзистора будет равен:

Iк2=Iд1=0,012 (А);

Iд2=10×Iб2=10×==0.0024 (A), где

Iд2,Iб2-токи базового делителя и базы второго транзистора соответственно.

R3===708,3 (Ом);

R1===1,792 (кОм);

Напряжение в рабочей точке второго транзистора будет равно ;

R2===1500 (Ом).

Рисунок 2.2.3.3.1- Активная коллекторная термостабилизация.

            Данная схема требует значительное количество дополнительных элементов, в том числе и активных. Если Сф утратит свои свойства, то каскад самовозбудится и будет не усиливать, а генерировать, т.е. данный вариант не желателен, поскольку параметры усилителя должны как можно меньше зависеть от изменения параметров его элементов,  по заданию. Основываясь на проведённом выше анализе схем термостабилизации выберем эмитерную.

            2.3 Расчёт усилителя.

            Поскольку мы будем использовать перекрёстные обратные [1],[3], то все соответствующие элементы схемы будут одинаковы, т.е. по сути дела расчёт всего усилителя сводится к расчёту двух каскадов рис.(2.3.1). Достоинством данной схемы является то, что при выполнении условия  схема оказывается согласван-ной по входу и выходу с КСВН не более 1,3 в диапазоне частот, где выполняется условие ³0,7. Поэтому практически отсутствует взаимное влияние каскадов друг