![]()
Пользовательского поиска
|
Расчет геометрических размеров тонкопленочных
конденсаторов, выполненных методом свободной маски (МСМ)
1. Исходные данные:
а).
конструкторские: , где
Cн - номинальная емкость конденсатора;
gC - относительная погрешность номинальной емкости;
Up- рабочее напряжение на конденсаторе;
T°max C - максимальная рабочая температура МС;
tэкспл - время
эксплуатации МС.
б).
технологические: , где
Db(Dl) - абсолютная погрешность изготовления;
Dlустан - абсолютная погрешность совмещения трафарета;
- относительная погрешность удельной емкости.
2. Выбор материала
диэлектрика:
В качестве материала
диэлектрика будем использовать “СТЕКЛО
ЭЛЕКТРОВАКУУМНОЕ”. Характеристики этого материала приведены в таблице:
Таблица 10.
Материал диэлектрика конденсатора
Материал |
С0, пФ/мм2 |
e |
tg d |
Eпр, В/мкм |
aс, 10-4 |
S, %/1000ч |
Стекло электровакуумное С41-1 НПО.027.600 |
100 - 300 |
5 - 6 |
0,002 - 0,005 |
200 - 400 |
2 |
1,5 |
3. Определение
толщины диэлектрика:
мкм, где
Кз - коэффициент запаса, необходимый для обеспечения надежностных характеристик и равный 2 - 4. Примем Кз = 2.
4. Определение
удельной емкости по рабочему напряжению:
5. Определение коэффициента
формы конденсатора:
Для большей компактности микросхемы выберем коэффициент формы конденсатора равным двум. Конденсатор такой формы удобнее разместить на подложке, чем квадратный.
Кф = 2;
6. Определение
относительной погрешности старения:
, где
![]() |