Выбор и обоснование топологии

 

 

                1. Выбор топологии производится на основе принципиальной электрической схемы данной микросхемы;

 

                2. Выбран вариант технологического процесса - метод свободной маски;

 

                3. Перечень конструкторских и технологических ограничений:

 

                               Оборудование имеет шесть позиций:

                               - низкоомные резисторы и подслой для контактных площадок

                               - высокоомные резисторы

                               - нижняя обкладка конденсатора и соединительные проводники

                               - диэлектрик конденсатора

                               - верхняя обкладка конденсатора и контактные площадки

                               - защитный слой;

 

                4. Ограничение перечня элементов в пленочном исполнении;

 

                5. Произведен расчет геометрических размеров элементов;

 

                6. Определение необходимой площади подложки:

 

                               , где Кзап=0,5-0,75

                              

                               Из перечня стандартных размеров выбираем подходящие размеры подложки . Исходя из проведенных расчетов выберем подложку с размерами 12x20 мм.  

 

                7. При проведении граф-анализа данной схемы установлено, что все пленочные и навесные элементы расположены в плоскости, и схема их соединений удовлетворяет всем конструкторским и технологическим требованиям.