Пользовательского поиска
|
градусов по Цельсию, для германиевых – до 100) и
максимальная мощность, рассеиваемая транзистором:
где Tокр – температура окружающей среды,
RTокр – тепловое сопротивление, Tnmax – предельная
температура переходов.
От температуры зависят и другие характеристики
транзисторов, как то, например, при повышении температуры на 10 градусов ток Iкбо
возрастает в 2 раза, что нарушает режим работы транзистора в сторону больших
токов. Поэтому в промышленности применяются транзисторы из более термостойких
материалов (кремниевые) и различные методы охлаждения схемы.
Однако, биполярные транзисторы обладают весьма
небольшим входным сопротивлением и высокой инерционностью. Поэтому в
компьютерах используются в основном полевые транзисторы, которые (к тому же)
гораздо легче поддаются миниатюризации. Биполярные транзисторы дают большее
быстродействие.
Полевые транзисторы бывают двух типов – канальные и
с изолированным затвором. Последние и применяются в компьютерах, их мы и
рассмотрим.
(здесь и далее серым цветом обозначается окисел
кремния SiO2).
Металлический электрод затвора изолирован от канала
тонким слоем диэлектрика (двуокисью кремния SiO2). Концентрация
примеси в областях стока и истока значительно больше, чем в канале. Основанием
для транзистора служит полупроводник p-типа. Исток, сток и затвор имеют
металлические выводы, с помощью которых транзистор и подключается к схеме.
Такой транзистор также называется МОП-транзистором
(металл-окисел-полупроводник).
МОП-транзисторы характеризуются следующими
статическими параметрами режима насыщения:
при Uc=const,
где S – крутизна характеристик, DIc
– изменение тока стока, DUзи – изменение
напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке.
при Uзи=const,