где R_i – внутренне сопротивление, DU_c – изменение напряжения на стоке, DI_c – изменение тока стока при постоянном напряжении на затворе.

 при I_с=const,

где m – коэффициент усиления, показывающий, во сколько раз сильнее влияет на ток стока изменение напряжения на затворе, чем изменение напряжения на стоке.

U_{зи отс} – обратное напряжение на затворе (напряжение отсечки), при котором токопроводящий канал оказывается перекрытым.

Входное напряжение между затвором и истоком определяется при максимально допустимом напряжении между этими электродами.

На высоких частотах также очень важными являются междуэлектродные емкости: входная, проходная и выходная.

К важнейшим достоинствам полевых транзисторов относятся:

1)      Высокое входное сопротивление (до 10¹⁵ Ом).

2)      Малый уровень собственных шумов

3)      Высокая устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий

4)      Высокая плотность элементов при использовании в интегральных схемах

5)      Низкая инерционность.

Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах.

Конденсатор (используется барьерная емкость обратно включенного p-n перехода)

Резистор (базовые – высокоомные, эмиттерные – низкоомные. В качестве переменного резистора можно использовать униполярый транзистор).

Индуктивности обычно не используются, т.к. схемы проектируют так, чтобы избежать их использования, однако, если все же возникает необходимость введения в схему отдельной индуктивности, на поверхность окисла кремния металлической спирали.