дешифруется. Одновременно запускаются формирователи F1 и через него - F2, управляющие выбором строки. Также от F1 селектором строк разрядные шины подключается к конденсаторам опорных элементов. Из-за того, что собственная емкость шин больше, чем емкость запоминающего конденсатора, разность потенциалов между ними при их подключении друг к другу будет незначительна. Поэтому необходим весьма чувствительный усилитель считывания.

Сигнал F2 включает усилитель считывания и происходит регенерация информации во всех элементах памяти выбранной строки.

По сигналу ВМС запускается формирователь F3 и через него F4, которые коммутируют цеп вывода информации и шины ввода-вывода с разрядной шиной через транзисторные ключи. Информация считывается. С окончанием тактового сигнала все узлы микросхемы возвращаются в исходное состояние.

Поскольку динамической памяти необходима регенерация, число циклов которой будет равно число строк в матрице. Этот цикл идет когда нет разрешающего сигнала ВМС. Для этого цикла необходимы счетчик, коммутатор, триггер и генератор регенерации, синхронизированный тактовым сигналом.

Системная память: взгляд в будущее

До 2000 года в мир персональных компьютеров войдет несколько новых архитектур высокоскоростной памяти. В настоящее время, с конца 1997 года по начало 1998 основная память PC осуществляет эволюцию от EDO RAM к SDRAM - синхронную память, которая, как ожидается будет доминировать на рынке с конца 1997 года. Графические и мультимедийные системы в которых сегодня применяется RDRAM перейдет к концу года на Concurent (конкурентную) RDRAM. Итак, в период между 1997 и 2000 годом будут развиваться пять основных технологий:

SDRAM II (DDR);

SLDRAM (SyncLink);

RAMBus (RDRAM);

Concurent RAMBus;

Direct RAMBus.

График, приведенный ниже, приближенно демонстрирует время появления и

применения будущих технологий памяти.