Под действием градиента концентрации возникает диффузия основных носителей заряда. Электроны диффундируют в p-область, а дырки – в n-область. Возникают области с избыточными концентрациями неподвижных зарядов неосновного носителя для данного типа полупроводника. Таким образом возникает внутренне диффузионное поле Е_зап p-n перехода, и устанавливается контактная разность потенциалов между двумя типам полупроводника, которая зависит от материала, примеси и степени ее концентрации.

Под действием внутреннего диффузионного поля основные носители оттесняются от границы полупроводников, таким образом, на границе образуется тонкий слой, практически лишенный основных носителей заряда, обладающий высоким сопротивлением. Этот слой называется запирающим.

Неосновные носители свободно проходят через внутренне поле p-n перехода, т.к. оно для них является разгоняющим, и производят ток проводимости (дрейфа). Основные носителя, преодолевая диффузионное поле, создают диффузионный ток. При отсутствии внешнего поля диффузионный ток и ток дрейфа равны. Такое состояние называется равновесным.

Если к p-n переходу приложить внешнее прямое напряжение (положительный полюс подсоединен к p-области, отрицательный – к n. Внешнее электрическое поле этого источника противоположно внутреннему диффузному полю. Напряженность поля перехода падает, ширина запирающего слоя уменьшается, а вместе с ней – и высота потенциального барьера. Из-за уменьшение высоты потенциального барьера возрастает диффузионный ток, а токи дрейфа уменьшаются. В результате образуется результирующий т.н. прямой ток I_пр, текущий в направлении от p к n-области.

Если же приложит напряжение обратной направленности (т.н. обратное включение), то напряженность внутреннего поля p-n перехода возрастает, диффузионные токи уменьшаются практически до нуля (растет потенциальный барьер). Ток же дрейфа практически не меняет своего значения. Возникает обратный ток – I_обр, который пропорционален количеству неосновых носителей в полупроводнике и много меньше (примерно на 6 порядков) прямого тока. Таким образом, можно считать, что полупроводник с p-n переходом имеет одностороннюю проводимость.

При работе в p-n переходе может наблюдаться его пробой при обратном напряжении, т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего поля перехода, ведущий к росту подвижности носителей, формирующих обратный ток. При их достаточной скорости из-за разрыва ковалентных связей образуются добавочные электроны и дырки, которые, в свою очередь могут при соударениях могут создавать новые и новые носители. Этот процесс называется лавинным размножением и ведет к быстрому нарастанию обратного тока. Данный процесс обратим, пока он не перешел в тепловой. Наличие объемных зарядов и электрического поля в обедненном слое придает p-n переходу свойства электрической емкости ( т.н. барьерная емкость p-n перехода). Она зависит от площади перехода и подаваемого к нему напряжения.

(удельная электрическая проницаемость на площадь p-n перехода, деленная на четыре пи на ширину запорного слоя.